| 美国ITC正式对绝缘体上硅晶片启动337调查 |
| 发布日期:2016-11-03 |
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2016年10月19日,美国国际贸易委员会(ITC)投票决定对部分绝缘体上硅晶片(certain silicon-on-insulator wafers)启动337调查(调查编号:Inv. No. 337-TA-1025)。 2016年5月26日,美国Silicon Genesis Corporation向美国ITC提出337立案调查申请,并且于2016年10月3日和10月7日补充了其立案申请内容,主张对美出口和在美销售的部分绝缘体上硅晶片侵犯了其专利权(美国专利注册号:6458672和6171965),请求美国ITC发布有限排除令和禁止令。 美国最终将以下企业作为指定应诉方:法国Soitec, S.A.。 美国贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外,美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。 编译自:(美国国际贸易委员会官网) (许 立编译) (袁玉淋校对) |
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